قالت شركة “سامسونغ” للإلكترونيات يوم الثلاثاء إنها طورت شريحة ذاكرة جديدة ذات نطاق ترددي عالٍ تتمتع “بأعلى سعة حتى الآن” في الصناعة.
ادعى عملاق الرقائق الكوري الجنوبي أن الشريحة “HBM3E 12H” ترفع الأداء والسعة بأكثر من 50%.
وقال يونغ تشول باي، نائب الرئيس التنفيذي لتخطيط منتجات الذاكرة في شركة “سامسونغ” للإلكترونيات: “يتطلب مقدمو خدمات الذكاء الاصطناعي في الصناعة بشكل متزايد بسعة أعلى، وقد تم تصميم منتجنا الجديد “HBM3E 12H” لتلبية هذه الحاجة”.
وقال باي: “يشكل حل الذاكرة الجديد هذا جزءًا من توجهنا نحو تطوير التقنيات الأساسية لـ “HBM” عالي التكديس وتوفير الريادة التكنولوجية لسوق “HBM” عالي السعة في عصر الذكاء الاصطناعي”.
تعد “سامسونغ” للإلكترونيات أكبر صانع في العالم لشرائح ذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية، والتي تُستخدم في الأجهزة الاستهلاكية مثل الهواتف الذكية وأجهزة الكمبيوتر.
تتطلب نماذج الذكاء الاصطناعي التوليدية، مثل “ChatGPT” التابع لـ”OpenAI”، أعدادًا كبيرة من شرائح الذاكرة عالية الأداء. تعمل هذه الرقائق على تمكين نماذج الذكاء الاصطناعي التوليدية من تذكر التفاصيل من المحادثات السابقة وتفضيلات المستخدم من أجل توليد استجابات شبيهة بالاستجابات البشرية.
المنافسة تشتد
بدأت شركة “ميكرون تكنولوجي” عملية إنتاج أشباه الموصلات ذات الذاكرة بتقنية النطاق الترددي العالي (HBM) لاستخدامها في أحدث شرائح “إنفيديا” للذكاء الاصطناعي.
وقالت “Micron” إن “HBM3E” (ذاكرة النطاق الترددي العالي 3E) سوف تستهلك طاقة أقل بنسبة 30% مقارنة بالمنتجات المنافسة، ويمكن أن تساعد في الاستفادة من الطلب المتزايد على الرقائق التي تعمل على تشغيل تطبيقات الذكاء الاصطناعي المولدة.
يعد “HBM” أحد منتجات “ميكرون تكنولوجي” الأكثر ربحية، ويرجع ذلك جزئيًا إلى التعقيد الفني الذي ينطوي عليه بنائه.
ستستخدم “Nvidia” الشريحة في وحدات معالجة الرسوميات H200 من الجيل التالي، والتي من المتوقع أن يبدأ شحنها في الربع الثاني وتتجاوز شريحة H100 الحالية التي أدت إلى زيادة هائلة في الإيرادات في مصمم الرقائق.
العربية نت